Substrati Ge
Përshkrim
Kristali Ge i vetëm është gjysmëpërçues i shkëlqyer për industrinë infra të kuqe dhe IC.
Vetitë
| Metoda e Rritjes | Metoda Czochralski | ||
| Struktura Kristale | M3 | ||
| Konstante e qelizës njësi | a=5,65754 Å | ||
| Dendësia (g/cm3） | 5.323 | ||
| Pika e shkrirjes (℃) | 937.4 | ||
| Material i dopuar | Jo i dopuar | Sb-dopuar | Në / Ga –dopuar |
| Lloji | / | N | P |
| Rezistenca | ＞35 Ωcm | 0.05Ωcm | 0,05~0,1Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Madhësia | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| diametër 2” x 0,33 mm diametër 2” x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Trashësia | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Lustrim | Të vetme ose të dyfishtë | ||
| Orientimi me Kristal | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | ||
Përkufizimi i substratit Ge
Nënshtresa Ge i referohet një substrati të bërë nga elementi germanium (Ge).Germanium është një material gjysmëpërçues me veti elektronike unike që e bëjnë atë të përshtatshëm për një sërë aplikacionesh elektronike dhe optoelektronike.
Nënshtresat Ge përdoren zakonisht në prodhimin e pajisjeve elektronike, veçanërisht në fushën e teknologjisë së gjysmëpërçuesve.Ato përdoren si materiale bazë për depozitimin e filmave të hollë dhe shtresave epitaksiale të gjysmëpërçuesve të tjerë si silikoni (Si).Nënshtresat Ge mund të përdoren për të rritur heterostrukturat dhe shtresat gjysmëpërçuese të përbërë me veti specifike për aplikime të tilla si transistorët me shpejtësi të lartë, fotodetektorët dhe qelizat diellore.
Germanium përdoret gjithashtu në fotonik dhe optoelektronikë, ku mund të përdoret si një substrat për rritjen e detektorëve dhe lenteve infra të kuqe (IR).Nënshtresat Ge kanë vetitë e nevojshme për aplikimet infra të kuqe, të tilla si një gamë e gjerë transmetimi në rajonin me infra të kuqe të mesme dhe veti të shkëlqyera mekanike në temperatura të ulëta.
Nënshtresat Ge kanë një strukturë grilë të përputhur ngushtë me silikonin, duke i bërë ato të pajtueshme për integrimin me elektronikë të bazuar në Si.Kjo pajtueshmëri lejon fabrikimin e strukturave hibride dhe zhvillimin e pajisjeve të avancuara elektronike dhe fotonike.
Në përmbledhje, një substrat Ge i referohet një nënshtrese të bërë nga germanium, një material gjysmëpërçues i përdorur në aplikimet elektronike dhe optoelektronike.Ai shërben si një platformë për rritjen e materialeve të tjera gjysmëpërçuese, duke mundësuar fabrikimin e pajisjeve të ndryshme në fushën e elektronikës, optoelektronikës dhe fotonikës.
